ASML und TSMC treiben 12‑Zoll-Photomasken voran und peilen Pilotlinie bis 2031 an
KI-Marktzusammenfassung
ASML und TSMC koordinieren einen Branchenwechsel hin zu 12-Zoll-Fotomasken, um den High-NA-EUV-Durchsatz zu verbessern, die Stückkosten zu senken und Stitching-Beschränkungen zu beseitigen, die die Produktivität bei großen Dies begrenzen. Unterstützung durch Intel Foundry und Samsung erhöht die Wahrscheinlichkeit einer Ausrichtung des Ökosystems, auch wenn sich die Zeitpläne bis zu einer Pilotlinie im Jahr 2031 und Produktionsreife im Jahr 2033 erstrecken. Die kurzfristigen Auswirkungen konzentrieren sich auf Erwartungen hinsichtlich der künftigen High-NA-EUV-Einführung und Abhängigkeiten von der Tool-Roadmap.
Einflussstufe
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ASML und der Chipfertiger TSMC haben eine branchenweite Initiative gestartet, um 12inch-Photomasken für die EUV-Lithografie zu etablieren, um Kosten zu senken und Grenzen der HighNA-EUV-Technik zu umgehen. Ziel ist eine 12inch-Masken-Pilotlinie bis 2031 sowie Lithografiesysteme, die bis 2033 die Produktion fortgeschrittener Nodes unterstützen. HighNA EUV soll zunächst mit aktuellen 6inch-Masken in die Fertigung gehen, bevor der Wechsel auf 12inch-Masken die Produktivität im Werk erhöhen und Stitching-Beschränkungen beseitigen soll. Intel Foundry und Samsung Electronics unterstützen das Vorhaben ebenfalls.
