AI算力需求推高儲存市場：DRAM與NAND供應收緊，價格續升
AI 市場總結
DRAM/NAND 供應緊張以及 AI 驅動需求加速，正推動記憶體價格上升，市場預測 PC DRAM 將進一步加價，並有報道稱 DRAM/HBM 產能在 2027 年度配額之前基本已售罄。新的高頻寬快閃記憶體（HBF）標準亦預示對下一代儲存技術的投資將持續。此一格局有利於記憶體生產商的利潤率，同時增加下游供應風險，而相關情況已在消費電子產品的供應限制中可見。
影響等級
● 高
主要受影響標的
NCSKSKHYNIX2USD/USDT-0.52%
AI 觀點 · NCSKSKHYNIX2USD/USDTAI 觀點
▲ 看多
立即交易
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BlockBeats 消息，8月4日，儲存市場熱度延續，多家機構預期在供應受限及AI算力需求帶動下，DRAM與NAND價格仍有上行空間。
技術面方面，SK Hynix 與 SanDisk 發布業界首份 High Bandwidth Flash（HBF）標準規範，為下一代儲存技術發展鋪路。
價格與供需方面，南韓單層NAND產品7月平均售價按月上升35%，升至歷史新高。TrendForce 指出，受供應短缺影響，2026年第三季PC DRAM固定交易價或按季上調15%至20%。另有報道稱，全球三大記憶體製造商已完成2027年全年產能配置談判，DRAM及HBM產能大致售罄。
產業鏈方面，市場預期 Samsung Electronics 的晶圓代工業務今年產能利用率可達100%。Counterpoint 數據顯示，Samsung Electronics 在DRAM市場份額優勢擴大，Micron 與 SK Hynix 之間的競爭亦趨激烈。
終端市場方面，記憶體供應偏緊已影響消費電子供貨。有報道指，MacBook Air 因記憶體短缺出現供應受限。
AI產業方面，南韓AI晶片獨角獸 DeepX 據報估值大升四倍至3.14萬億韓圜，反映AI晶片與記憶體供應鏈需求持續強勁。
